Роадмап нового поколения процессоров Qualcomm Snapdragon
Как известно, компания Qualcomm в этом году переходит на новую архитектуру мобильных процессоров Krait, она послужит основой для всех последующих платформ семейства Snapdragon.
» Нажмите, для открытия спойлера | Press to open the spoiler «
Как и полагается всем современным процессорам, все новые Snapdragon будут как минимум двухъядерными.
Если верить утекшему в сеть роадмапу Qualcomm, дебют этих процессоров состоится в четвертом квартале текущего года, и первыми моделями станут платформы Snapdragon MSM8960, MSM8260A и MSM8270. Их стандартные тактовые частоты варьируются в пределах от 1,5 до 1,7 ГГц, центральным процессорам помогают обновленные графические чипы Adreno 225 с поддержкой видео в 1080p и 3D-фото в 20-мегапиксельном разрешении, имеется также двухканальный контроллер памяти 500 МГц и возможность работы в сетях LTE 4G, а уж такая мелочь как 3G HSPA+ 21 Мбит/с воспринимается как нечто само собой разумеющееся.
Новые платформы продержатся на рынке около девяти месяцев, прежде чем их дополнят чипсеты MSM8230 и MSM8930, их релиз ожидается к третьему кварталу будущего года. Это будут прогрессивные во всех отношениях процессоры, оснащенные новыми графическими чипами Adreno 305. А еще примерно через полгода, в начале 2013 года дебютирует четырехъядерная платформа MSM8974 с еще более мощной графикой Adreno 320, достаточно мощной для отображения видео 1080p с частотой 60 кадров в секунду.
Источник: gizmonews
Первый в мире жесткий диск для планшетов
оздан первый в мире жесткий диск, предназначенный для использования в планшетах. В роли разработчика выступила компания Seagate, представившая свое новое детище под названием “Momentus Thin”.
» Нажмите, для открытия спойлера | Press to open the spoiler «
Толщина накопителя составляет всего 7 мм, за счет чего его можно с легкостью устанавливать как в планшетные компьютеры, так и в тонкие ноутбуки вместо стандартных флеш-модулей.
Momentus Thin будет поставляться в трех вариациях: 160 ГБ, 250 ГБ и 320 ГБ. Скорость вращения шпинделя – 5 400 или 7 200 об/мин. Включена также поддержка шифрования данных.
Стоит отметить, что на сегодняшний день средний объем флеш-памяти в планшетах составляет всего 16-64 ГБ.
Momentus Thin уже установлен по умолчанию в новом двухъядерном планшетнике Archos G9, который был анонсирован на прошлой неделе. Сам же накопитель изначально был представлен еще в 2009 году.
BИсточник:supreme2_ru
IBM Labs: создана быстрая PCM-память, хранящая несколько бит данных в одной ячейке
Сравнение DRAM, флэш, а также PCM и многоуровневой PCM-памяти по параметрам скорости, плотности, износостойкости, хранения и масштабирования, где зелёный обозначает лучший в классе показатель, жёлтый - хороший, оранжевый - средний, а красный - плохой показатель
Ученые из исследовательского подразделения IBM Research корпорации IBM впервые продемонстрировали, что относительно новая технология памяти, известная как память с изменением фазового состояния (Phase-Change Memory, PCM), может надежно хранить несколько бит данных в одной ячейке в течение длительных периодов времени.
» Нажмите, для открытия спойлера | Press to open the spoiler «
Этот значительный прогресс, достигнутый исследователями, позволяет создавать более быструю, надежную и, в то же время, недорогую память для целого спектра применений, от потребительских устройств, таких как мобильные телефоны и устройства хранения данных на базе технологии облачных вычислений, до высокопроизводительных центров хранения информации корпоративного уровня.
Ученые давно искали технологию универсальной энергонезависимой памяти с гораздо большей производительностью, чем у флэш-памяти - наиболее распространенного сегодня типа энергонезависимых запоминающих устройств. Преимущества такой технологии памяти могли бы позволить компьютерам и серверам загружаться практически мгновенно и значительно повысить эффективность работы ИТ-систем. Перспективным претендентом на роль такой технологии является память PCM, которая записывает и считывает данные в сто раз быстрее, чем флэш-память, обеспечивая высокие показатели емкости хранения и не теряя данные при выключении питания. В отличие от флэш-памяти, PCM-память чрезвычайно надежна и долговечна в работе - она может выдержать не менее 10 млн. циклов перезаписи. Для сравнения: современные флэш-модули корпоративного класса выдерживают около 30 тыс. циклов перезаписи, а флэш-модули потребительского класса - 3 тыс. циклов перезаписи.
Для того чтобы осуществить эту прорывную демонстрацию, ученые IBM в Цюрихе использовали передовой метод модуляционного кодирования, чтобы смягчить проблему кратковременных отклонений параметров в многоразрядной PCM, которые вызывают изменение уровней сопротивления на ячейках памяти с течением времени, что, в свою очередь, приводит к ошибкам чтения данных. До сих пор надежное хранение данных было продемонстрировано только при записи в ячейку PCM-памяти лишь одного бита информации, тогда как о подобной возможности для многоразрядной PCM не сообщалось.
Технология PCM использует эффект изменения сопротивления, происходящего в веществе (представляющем собой сплав различных элементов), когда оно меняет свое агрегатное состояние с кристаллического, характеризующегося низким уровнем сопротивления, на аморфное (с высоким уровнем сопротивления) для хранения битов данных. В ячейке памяти PCM, где вещество с изменяемым физическим состоянием наносится между верхним и нижним электродом, изменением фазы можно управлять приложением импульсов напряжения или тока различной силы. Эти импульсы нагревают вещество, и при достижении определенных пороговых значений температуры происходит переход из кристаллического состояния в аморфное или наоборот.
Кроме того, в зависимости от величины приложенного напряжения количество молекул вещества, перешедших из одного фазового состояния в другое, различно, и это напрямую влияет на сопротивление ячейки. Исследователи использовали эту особенность для того, чтобы записать в ячейку памяти не один, а несколько битов данных. В своих нынешних экспериментах ученые IBM использовали четыре разных уровня сопротивления для хранения битовых комбинации "00", "01" 10 "и" 11 " (иными словами, записали в одну ячейку два бита данных).
Для того чтобы достичь продемонстрированной надежности, необходимо было осуществить критически важные технические усовершенствования процесса чтения и записи. Ученым удалось реализовать итеративный (повторяющийся) процесс записи, чтобы решить проблему отклонения значений сопротивления из-за присущей ячейкам памяти и веществам с изменяемым фазовым состоянием неустойчивости этого параметра. «Мы прикладываем импульс напряжения в зависимости от отклонения от требуемого уровня, а затем измеряем сопротивление. Если требуемый уровень сопротивления не достигнут, мы применяем другой импульс напряжения и вновь проводим измерение, и так до тех пор, пока не добьемся нужного значения», - пояснил Позидис.
Несмотря на использование итеративного процесса, ученым удалось достичь показателя времени ожидания в 10 микросекунд для наиболее неблагоприятного режима записи данных, что дает 100-кратное увеличение производительности даже по сравнению с самой современной флэш-памятью, представленной сегодня на рынке.
Для того чтобы продемонстрировать надежное считывание битов данных, ученым нужно было решить проблему отклонения уровней сопротивления. В результате структурной релаксации атомов в аморфном состоянии, сопротивление вещества со временем повышалось, что приводило к возникновению ошибок вывода считываемых данных. С целью преодоления этой проблемы ученые IBM применили передовой метод модуляционного кодирования, изначально устойчивый к эффекту отклонения значений сопротивления. В основу метода модуляционного кодирования положен тот факт, что относительный порядок запрограммированных ячеек с различными уровнями сопротивления со временем остается, в целом, неизменным.
Используя эту методику, ученые IBM смогли смягчить проблему отклонения значений сопротивления и продемонстрировать возможность долговременного хранения битов данных в подмассиве из 200000 ячеек своего экспериментального КМОП-чипа памяти PCM, произведенного с применением 90-нм технологического процесса. Экспериментальный чип PCM-памяти был спроектирован и изготовлен учеными и инженерами в Берлингтоне, штат Вермонт; Йорктаун-Хейтс, штат Нью-Йорк; и Цюрихе, Швейцария. Эксперименты, которые длились более 5 месяцев, показали, что многоразрядная память PCM может достичь уровня надежности, пригодного для коммерческого применения.
Источник: THG